O processo de dopagens dos materiais semicondutores é um processo bastante comum na eletrônica. Considere um material semicondutor tipo N que passa por um processo de dopagem, considerando ainda que a densidade de lacunas seja de 10^16/cm3 e que a densidade intrínseca seja 10^15/cm3, podemos afirmar que a densidade de impurezas aceitadoras é de:
F
Francinaldos
26/11/24

Question

Question image: O processo de dopagens dos materiais semicondutores é um processo bastante comum na eletrônica. Considere um material semicondutor tipo N que passa por um processo de dopagem, considerando ainda que a densidade de lacunas seja de 10^16/cm3 e que a densidade intrínseca seja 10^15/cm3, podemos afirmar que a densidade de impurezas aceitadoras é de:

O processo de dopagens dos materiais semicondutores é um processo bastante comum na eletrônica. Considere um material semicondutor tipo N que passa por um processo de dopagem, considerando ainda que a densidade de lacunas seja de 10^16/cm3 e que a densidade intrínseca seja 10^15/cm3, podemos afirmar que a densidade de impurezas aceitadoras é de:

F

Francinaldos

26/11/24

Accepted Answer

Para resolver essa questão, precisamos usar a relação entre as densidades de portadores em semicondutores:

$$ n \cdot p = n_i^2 $$

Onde:
- $ n $ é a densidade de elétrons.
- $ p $ é a densidade de lacunas.
- $ n_i $ é a densidade intrínseca.

Dado que o material é do tipo N, a densidade de elétrons $ n $ será maior devido à dopagem. Sabemos que:
- $ p = 10^{16} \, \text{cm}^{-3} $
- $ n_i = 10^{15} \, \text{cm}^{-3} $

Substituindo na equação:

$$ n \cdot 10^{16} = (10^{15})^2 $$

$$ n \cdot 10^{16} = 10^{30} $$

$$ n = \frac{10^{30}}{10^{16}} $$

$$ n = 10^{14} \, \text{cm}^{-3} $$

Portanto, a densidade de impurezas aceitadoras é:

**Resposta: a. $ 10^{14} \, \text{cm}^{-3} $**