Os transistores de potência geralmente são classificados em três categorias: transistores bipolares de junção (BJT), transistores de efeito de campo óxido metálico semicondutor (MOSFET) e transistores bipolares de porta isolada (IGBT). A respeito das categorias de transistores de potência, assinale a alternativa que descreve corretamente o dispositivo detalhado na assertiva:
(10 Pontos)
O MOSFET de potência é um dispositivo controlado por tensão e requer apenas uma pequena corrente de entrada.
O BJT de potência é um dispositivo controlado por tensão e requer corrente de base para que flua corrente no coletor.
O IGBT é um dispositivo controlado pela tensão aplicada entre o terminal coletor e o terminal e o emissor.
IGBTs são transistores que combinam as vantagens dos BJT e MOSFET, ou seja, apresentam impedância de entrada elevada - como os BJTs - e baixas perdas em condução - como os MOSFETs.
No MOSFET a corrente de dreno é inversamente proporcional a tensão entre gate e source.
