O processo de dopagens dos materiais semicondutores é um processo bastante comum na eletrônica. Considere um material semicondutor tipo P que passa por um processo de dopagem. Considerando, ainda, que a densidade de lacunas seja de 1016/cm3, e que a densidade intrínseca seja 1015/cm3, podemos afirmar que a densidade de impurezas aceitadoras é de:
A - 9 x 1012/cm3.
B - 9 x 1013/cm3.
C - 9 x 1011/cm3.
D - 9 x 1015/cm3.
E - 9 x 1014/cm3.