INSTITUTO FEDERAL Brasila Aplicações Diodo: Porta AND IFB (1...

INSTITUTO FEDERAL Brasila Aplicações Diodo: Porta AND IFB (1) E₁ = 10 Vo Si 1 D (0) E2=0V Si 2 D2 INSTITUTO FEDERAL Brastia R1 ΚΩ E 10 V V Aplicações Diodo: Porta AND IFB (1) E₁=10 Vo Si 1 D Qual o estado de D1 e D2? (0) E2=0V Si (1) + 2 D2 E 10 V -0.7V R21 ΚΩ R1 ΚΩ (0) + E 10 V INSTITUTO FEDERAL E 10 V Aplicações Diodo: Porta AND (1) E₁ = 10 Vo Si 1 D V=V=0,7 V (um nivel lógico 0) Entrada E Entrada E (0) E2=0V Si Estado dos Diodos V (Saida) Saída Lógica V OV (0) OV (0) De Da conduzem 0,7V 0 2 D2 10V (1) OV (0) D₂ conduz ≈0,7V 0 R 1 ΚΩ OV (0) 10V (1) D₁ conduz 0.7V 0 + E 10 V 10V (1) 10V (1) Die D₂ em corte 10V 1 IFB INSTITUTO FEDERAL Brasfia Aplicações Diodo: Exercícios FB +5 V +5 V V 2.5 ΚΩ 2.5 ΚΩ V V 32.5 ΚΩ 32.5 ΚΩ -5 V -5 V (a) (b) (c) (d)