Exercícios Resolvidos sobre Dispositivos MOS Canal N e Circuitos CMOS

Nome Matrícula 1 10 Considere que seu RA é dado por 1XXXXABCD Um dispositivo MOS canal N em uma tecnologia na qual a espessura do óxido é de 4 nm Caso resulte 0 usar 5nm o comprimento mínimo de canal é 2 µm kn 100 µAV2 e Vt 07 V opera na região de triodo com VDS pequeno e com tensão portafonte na faixa de 0 V a 5V Qual a largura do dispositivo que é necessária para assegurar que a resistência mínima seja AB100 Ω Caso resulte 0 usar 500Ω Resposta com unidade a W 2 15 Considere que seu RA é dado por 1XXXXABCD No circuito abaixo os resistores têm os seguintes valores R1 30A MΩ R2 20B MΩ R3 500 Ω Nesta tecnologia temse Espessura do óxido de porta tox 15 nm Mobilidade de elétrons µn 500 cm2Vs Mobilidade de lacunas µp 200 cm2Vs WL 5 Tensão de limiar Vtn 1 V Tensão de alimentação VDD 5 V e VSS 5 V Desprezando o efeito da modulação do comprimento de canal pedese a Analise o circuito a fim de determinar todas as tensões nos nós e as correntes nos ramos b Esboce a curva ID x VDS indicando os valores de tensão e corrente notáveis c Calcule o maior valor de R3 para que o transistor permaneça na saturação com o mesmo nível de corrente ID VDD VDD VSS VSS R1 R2 R3 Respostas com unidades a VG IG VD ID VS IS c RDmax