Transistores Bipolares de Junção e de Efeito de Campo

ELETRÔNICA INDUSTRIAL Prof Afonso Genta Palandri TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Os transistores são dispositivos de três terminais e são a evolução natural dos diodos Enquanto os diodos apresentam uma junção PN os transistores apresentam duas junções PN A esse tipo de transistor dáse o nome de Transistor Bipolar de Junção Dependendo do tipo de semicondutor utilizado o transistor pode ser do tipo PNP ou NPN TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Existem transistores para vários tipos de tensão e corrente Transistores que apresentam altos valores nominais de corrente e tensão são chamados de transistores de potência Os transistores possuem basicamente duas funções chaveamento e amplificação Na Eletrônica Industrial a aplicação de chaveamento é muito mais usual Os TBJs apresentam três terminais Base B Coletor C e Emissor E TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os transistores de efeito de campo FETs apresentam algumas características interessantes para a aplicação de chaveamento Além de apresentar uma eficiência maior ele apresenta uma melhor resposta para altas frequências podendo ser utilizado para chaveamento de até 100 kHz ou mais Além disso também apresenta uma alta impedância de entrada Por outro lado o controle de um FET é mais complexo se comparado ao de um TBJ Além disso apresenta uma queda de tensão elevada quando ligado TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Existem basicamente duas classificações de FETs tipo N e tipo P Também possui três terminais mas são chamados de Porta G Dreno D e Fonte S TRANSISTORES DE PORTA ISOLADA Os transistores de porta isolada IGBTs unem as qualidades dos TBJs e dos FETs em um único dispositivo apresentando a baixa queda de tensão dos TBJs enquanto ligados e a alta impedância de entrada dos FETs Devido a essas características os IGBTs apresentam valores nominais de tensão e corrente muito acima dos TBJs e FETs sendo dominantes em aplicações de alta potência 500 W ou mais Por exemplo quase todo dispositivo inversor de tensão moderno utiliza IGBTs como elemento de chaveamento TRANSISTORES DE PORTA ISOLADA Os IGBTs possuem também três terminais chamados de Porta G Coletor C e Emissor E Os IGBTs diferentemente dos FETs não apresentam um diodo em antiparalelo naturalmente devido ao processo de fabricação Assim é comum os fabricantes adicionarem esse diodo Embora ele aumente e muito a capacidade de tensão reversa ele também sacrifica os tempos de recuperação do IGBT A Melhor Formação