Avaliacao Eletronica Analogica I e Laboratorio Virtual - Transistor e Modelos Hibridos

Avaliação II Eletrônica Analógica I 1O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados de modo que folhas de dados incluíam os parâmetros em sua lista porém por serem definidos para um conjunto de condições operacionais pode ocorrer a não correspondência com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A Com o passar dos tempos o modelo rh se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante B Com o passar dos tempos o modelo ry se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante C Com o passar dos tempos o modelo re se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante D Com o passar dos tempos o modelo ra se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante 2 Laboratório Virtual Eletrônica Analógica Iluminação de Emergência com Transistor Através da prática virtual o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção Medir Corrente Ajuste o potenciômetro em 10 kohms Com o sistema montado seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor Com relação ao experimento exposto assinale a alternativa CORRETA A Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual a corrente apresentada no multímetro será de 6943 mA B Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter aceso Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma C Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter aceso Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar D Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar 3Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação específica Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ transistor de junção bipolar Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P e do tipo N Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de carga positiva lacunas e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa elétrons Os materiais semicondutores tipo P ou tipo N conseguem conduzir uma corrente elétrica porém não conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor Como exemplo podemos citar o silício e o germânio Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas O transistor consiste em três camadas de material sendo que duas delas são feitas de material igual O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor O transistor pode ter apenas duas configurações basecomum e emissorcomum O transistor pode ter apenas duas configurações baseemissor e emissorcomum Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V F V B V F V F C F V V F D V V F F 4O Transistor Bipolar de Junção TBJ ou BJT do inglês bipolar junction transistor é formado por duas junções pn Há duas possibilidades básicas de TBJs que são NPN e PNP O terminal central denominado base controla a corrente que circula pelos dois terminais principais emissor e coletor O TBJ pode ser empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal de entrada em amplitude Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A Como a amplitude do sinal de saída é menor podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada B Como a amplitude do sinal de saída é maior podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada C Como a amplitude do sinal de entrada é maior podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada D Como a amplitude do sinal de saída é menor podemos dizer também que a potência de entrada é maior que a potência de saída 5O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída O nome efeito de campo do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água elétrons no JFET a partir da torneira fonte no JFET A porta através da aplicação de um sinal tensão controla o fluxo de água carga para o dreno Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta G gate e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno D drain Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V V F B F V F V C V F F V D V V F F 6O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na década de 1950 tornandoa uma das mais promissoras do mundo até hoje Essa região abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores como Intel AMD Dell IBM e Apple e depois de softwares que iriam executar nesses computadores como Microsoft Oracle e Google Essa região é chamada de Vale do Silício O silício possui várias aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de transistores Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração basecomum Com base nessa configuração basecomum dos TBJs analise as sentenças a seguir IO nome basecomum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída ser comum a ambas além disso normalmente possui o menor potencial próximo ao terra quando não está efetivamente conectada ao terra II Por convenção o sentido da corrente referese ao fluxo convencional de elétrons e não ao fluxo de lacunas deste modo para um TBJ a seta define a direção da corrente de emissor fluxo convencional III Para uma correta descrição do TBJ dispositivo com três terminais é necessário dois conjuntos de curvas características um que represente a saída e um que represente a entrada ou o acionamento Assinale a alternativa CORRETA A As sentenças II e III estão corretas B As sentenças I e III estão corretas C Somente a sentença II está correta D As sentenças I e II estão corretas 7Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situase entre a dos condutores e a dos isolantes Dependendo de sua estrutura qualquer elemento pode ser classificado como isolante semicondutor ou condutor Atualmente os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são dispositivos semicondutores tais como diodos transistores e circuitos integrados Seu emprego devese à habilidade de controlar o fluxo de corrente executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas porém com grandes vantagens como tamanho peso e durabilidade Por estas razões o emprego dos dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam do início do século Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A O primeiro LED um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor B O primeiro diodo um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor C O primeiro transistor um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor D O primeiro tiristor um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor 8O transistor FET do inglês Field Effect Transistor ou em português Transistor de Efeito de Campo funciona através do efeito de um campo elétrico na junção Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas Os transistores de efeito de campo FET fieldeffect transistor do inglês é um dispositivo semelhante ao TBJ sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão O nome efeito de campo é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras Uma das principais características do FET é sua baixa impedância os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados Assim como os TBJs podem ser npn e pnp os JFETs podem ser de canal n e de canal p porém os transistores bipolares de junção assim como o nome diz são bipolares condução por dois portadores de carga elétrons ou lacunas e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares dependem unicamente da condução de elétrons canal n ou de lacunas canal p Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V V F B V F F V C V V F F D F V F V 9Na prática a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os altofalantes Resulta assim em maior potência do som produzido o MOSFET também é constituído de camadas P e N sendo caracterizados de duas formas transistores MOSFET de canalN e de canalP Os dois tipos são similares mas o canalP possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canalN Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metalboro semicondutor O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício sob a qual é construído o dispositivo é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico SiO2 responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo O nome agora faz sentido metal se referindo às conexões do dreno fonte e porta óxido referindose à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A V V F F B V F V F C F F V V D F V F V 10 Laboratório Virtual Eletrônica Analógica Iluminação de Emergência com Transistor Através da prática virtual o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção Medir Corrente Ajuste o potenciômetro em 50 kohms Com o sistema montado seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor Com relação ao experimento exposto assinale a alternativa CORRETA A Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá acender Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência aumentada B Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência diminuída C Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá acender Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência diminuída D Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência aumentada Avaliação II Eletrônica Analógica I 1O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados de modo que folhas de dados incluíam os parâmetros em sua lista porém por serem definidos para um conjunto de condições operacionais pode ocorrer a não correspondência com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A Com o passar dos tempos o modelo rh se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante B Com o passar dos tempos o modelo ry se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante C Com o passar dos tempos o modelo re se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante D Com o passar dos tempos o modelo ra se torna a abordagem mais desejável sendo este modelo uma versão reduzida do modelo pi híbrido utilizado quase exclusivamente para alta frequência porém deixava de incluir um termo de realimentação que em alguns casos pode ser importante 2 Laboratório Virtual Eletrônica Analógica Iluminação de Emergência com Transistor Através da prática virtual o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção Medir Corrente Ajuste o potenciômetro em 10 kohms Com o sistema montado seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor Com relação ao experimento exposto assinale a alternativa CORRETA A Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual a corrente apresentada no multímetro será de 6943 mA B Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter aceso Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma C Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter aceso Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar D Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar 3Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação específica Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ transistor de junção bipolar Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P e do tipo N Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de carga positiva lacunas e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa elétrons Os materiais semicondutores tipo P ou tipo N conseguem conduzir uma corrente elétrica porém não conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor Como exemplo podemos citar o silício e o germânio Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas v O transistor consiste em três camadas de material sendo que duas delas são feitas de material igual v O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor f O transistor pode ter apenas duas configurações basecomum e emissorcomum f O transistor pode ter apenas duas configurações baseemissor e emissorcomum Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V F V B V F V F C F V V F D V V F F 4O Transistor Bipolar de Junção TBJ ou BJT do inglês bipolar junction transistor é formado por duas junções pn Há duas possibilidades básicas de TBJs que são NPN e PNP O terminal central denominado base controla a corrente que circula pelos dois terminais principais emissor e coletor O TBJ pode ser empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal de entrada em amplitude Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A Como a amplitude do sinal de saída é menor podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada B Como a amplitude do sinal de saída é maior podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada C Como a amplitude do sinal de entrada é maior podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada D Como a amplitude do sinal de saída é menor podemos dizer também que a potência de entrada é maior que a potência de saída 5O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída O nome efeito de campo do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas v A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água elétrons no JFET a partir da torneira fonte no JFET A porta através da aplicação de um sinal tensão controla o fluxo de água carga para o dreno v Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta G gate e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno D drain f Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np f O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V V F B F V F V C V F F V D V V F F 6O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na década de 1950 tornandoa uma das mais promissoras do mundo até hoje Essa região abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores como Intel AMD Dell IBM e Apple e depois de softwares que iriam executar nesses computadores como Microsoft Oracle e Google Essa região é chamada de Vale do Silício O silício possui várias aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de transistores Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração basecomum Com base nessa configuração basecomum dos TBJs analise as sentenças a seguir IO nome basecomum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída ser comum a ambas além disso normalmente possui o menor potencial próximo ao terra quando não está efetivamente conectada ao terra II Por convenção o sentido da corrente referese ao fluxo convencional de elétrons e não ao fluxo de lacunas deste modo para um TBJ a seta define a direção da corrente de emissor fluxo convencional III Para uma correta descrição do TBJ dispositivo com três terminais é necessário dois conjuntos de curvas características um que represente a saída e um que represente a entrada ou o acionamento Assinale a alternativa CORRETA A As sentenças II e III estão corretas B As sentenças I e III estão corretas C Somente a sentença II está correta D As sentenças I e II estão corretas 7Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situase entre a dos condutores e a dos isolantes Dependendo de sua estrutura qualquer elemento pode ser classificado como isolante semicondutor ou condutor Atualmente os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são dispositivos semicondutores tais como diodos transistores e circuitos integrados Seu emprego devese à habilidade de controlar o fluxo de corrente executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas porém com grandes vantagens como tamanho peso e durabilidade Por estas razões o emprego dos dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam do início do século Com base no exposto assinale a alternativa CORRETA A O primeiro LED um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor B O primeiro diodo um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor C O primeiro transistor um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor D O primeiro tiristor um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento ser menor e mais leve não apresentar perdas por aquecimento ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor 8O transistor FET do inglês Field Effect Transistor ou em português Transistor de Efeito de Campo funciona através do efeito de um campo elétrico na junção Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas v Os transistores de efeito de campo FET fieldeffect transistor do inglês é um dispositivo semelhante ao TBJ sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão f O nome efeito de campo é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras f Uma das principais características do FET é sua baixa impedância os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados v Assim como os TBJs podem ser npn e pnp os JFETs podem ser de canal n e de canal p porém os transistores bipolares de junção assim como o nome diz são bipolares condução por dois portadores de carga elétrons ou lacunas e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares dependem unicamente da condução de elétrons canal n ou de lacunas canal p Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A F V V F B V F F V C V V F F D F V F V 9Na prática a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os altofalantes Resulta assim em maior potência do som produzido o MOSFET também é constituído de camadas P e N sendo caracterizados de duas formas transistores MOSFET de canalN e de canalP Os dois tipos são similares mas o canalP possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canalN Com base nesse contexto classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas f O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metalboro semicondutor f O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício sob a qual é construído o dispositivo é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico SiO2 responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo O nome agora faz sentido metal se referindo às conexões do dreno fonte e porta óxido referindose à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA A V V F F B V F V F C F F V V D F V F V 10 Laboratório Virtual Eletrônica Analógica Iluminação de Emergência com Transistor Através da prática virtual o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção Medir Corrente Ajuste o potenciômetro em 50 kohms Com o sistema montado seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor Com relação ao experimento exposto assinale a alternativa CORRETA A Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá acender Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência aumentada B Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência diminuída C Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá acender Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência diminuída D Ao desligar as luzes na opção iluminação do laboratório virtual o LED irá se manter apagado Visto que o LDR resistor dependente de luz terá a resistência aumentada