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Introdução O diodo de junção PN é um dispositivo eletrônico de estado sólido que atua idealmente como uma chave fechada quando polarizado de modo direto e como uma chave quando polarizado de modo reverso Nesta prática será levantada a curva característica de um diodo real verificandose que quando polarizado de modo direto a sua corrente cresce de forma exponencial com a tensão aplicada que a corrente de saturação reversa é muito pequena também o efeito de sua capacitância quando polarizado de modo reverso e direto Procedimento Experimental de Simulação 1 Utilize a montagem da Figura 1 para obter a curvas caracteristica do diodo Para obter esta curva obtenha os valores da seguinte tabela para cada um dos diodos IdmA VdV 015 025 05 15 25 5 10 Tabela 1 2 Ainda considerando a montagem da Figura 1 meça para Vcc6V a corrente Id e a tensão Vd para resistência R3kΩ 1kΩ e 330Ω 3 O diodo quando sujeito a um sinal de alta frequência possui influência de sua capacitância parasita A Figura 2 mostra uma configuração para verificação desta influência O diodo pode ser modelado por um paralelo de um resistor com um capacitor 4 Monte o circuito da Figura 2 com um sinal quadrado de amplitude 10 Vpp e frequência de 100 khz e verifique a forma de onda na saída R1kohm1 osciloscópio Figura 2
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Introdução O diodo de junção PN é um dispositivo eletrônico de estado sólido que atua idealmente como uma chave fechada quando polarizado de modo direto e como uma chave quando polarizado de modo reverso Nesta prática será levantada a curva característica de um diodo real verificandose que quando polarizado de modo direto a sua corrente cresce de forma exponencial com a tensão aplicada que a corrente de saturação reversa é muito pequena também o efeito de sua capacitância quando polarizado de modo reverso e direto Procedimento Experimental de Simulação 1 Utilize a montagem da Figura 1 para obter a curvas caracteristica do diodo Para obter esta curva obtenha os valores da seguinte tabela para cada um dos diodos IdmA VdV 015 025 05 15 25 5 10 Tabela 1 2 Ainda considerando a montagem da Figura 1 meça para Vcc6V a corrente Id e a tensão Vd para resistência R3kΩ 1kΩ e 330Ω 3 O diodo quando sujeito a um sinal de alta frequência possui influência de sua capacitância parasita A Figura 2 mostra uma configuração para verificação desta influência O diodo pode ser modelado por um paralelo de um resistor com um capacitor 4 Monte o circuito da Figura 2 com um sinal quadrado de amplitude 10 Vpp e frequência de 100 khz e verifique a forma de onda na saída R1kohm1 osciloscópio Figura 2