Lista Avaliativa

Lista Avaliativa CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA Eletrônica Analógica PROFESSOR José Eduardo Henriques da Silva Polarização de Transistores de Junção Bipolar Questão 1 Para a configuração apresentada na Figura 1 responda o que se pede Figura 1 Polarização Fixa a IBQ b ICQ c VCEQ d VC e VB f VE Questão 2 Para a configuração de polarização por divisão de tensão da Figura 2 determine Figura 2 Polarização por Divisão de Tensão a IBQ b ICQ c VCEQ d VC e VB f VE Questão 3 Repita a Questão 2 para β 140 Quais níveis são os mais afetados Por quê 2 Questão 4 Com base na informação fornecida na Figura 3 determine Figura 3 Polarização por Divisão de Tensão a IC b VE c VB d R1 3 Questão 5 Com base na informação dada na Figura 4 determine Figura 4 Polarização por Divisão de Tensão a IC b VE c VCC d VCE e VB f R1 4 Lista Avaliativa CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA Eletrônica Analógica PROFESSOR José Eduardo Henriques da Silva Polarização de Transistores de Junção Bipolar Questão 1 Para a configuração apresentada na Figura 1 responda o que se pede Figura 1 Polarização Fixa a IBQ b ICQ c VCEQ d VC e VB f VE a Considerando a tensão baseemissor de 07 V temos IBQ VCC VBE RE IBQ 16 07 510 103 IBQ 30 µA b ICQ IBQ β ICQ 30 106 120 ICQ 36 mA c VCEQ VCC RC ICQ VCEQ 16 18 103 36 103 VCEQ 952 V d VC VCEQ VC 952 V e VB VBE 07 V f VE 0 V Questão 2 Para a configuração de polarização por divisão de tensão da Figura 2 determine Figura 2 Polarização por Divisão de Tensão a IBQ b ICQ c VCEQ d VC e VB f VE a VB VCC RB2 RB1 RB2 VB 16 91 103 62 103 91 103 VB 205 V VE VB VBE VE 205 07 VE 135 V IEQ VE RE IEQ 135 680 IE 199 mA IBQ IE β 1 IBQ 199 103 80 1 IBQ 2457 µA b ICQ IE ICQ 199 mA c VCEQ VCC RC ICQ RE ICQ VCEQ 16 39 103 199 103 680 199 103 VCEQ 689 V d VC VCC RC ICQ VC 16 39 103 199 103 VC 824 V e VB VCC RB2 RB1 RB2 VB 16 91 103 62 103 91 103 VB 205 V f VE VE VB VBE VE 205 07 VE 135 V Questão 3 Repita a Questão 2 para β 140 Quais níveis são os mais afetados Por quê VB VCC RB2 RB1 RB2 VB 16 91 103 62 103 91 103 VB 205 V VE VB VBE VE 205 07 VE 135 V IE VE RE IE 135 680 IE 199 mA IBQ IE β 1 IBQ 199 103 140 1 IBQ 1411 µA b ICQ β IBQ ICQ 140 1411 106 ICQ 1975 mA c VCEQ VCC RC ICQ VE VCEQ 16 39 103 1975 103 135 VCEQ 695 V d VC VCC RC ICQ VC 16 39 103 1975 103 VC 830 V e VB RB IE VB 680 199 103 VB 135 V f VE VE VB VBE VE 205 07 VE 135 V Comparação com β80 IBQ Diminuiu de 245 μA para 141 μA devido ao β maior ICQ Mantevese praticamente igual variação mínima de 196 para 1974 mA pois IEQ depende principalmente de VE e RE que não mudaram VCEq Reduziu ligeiramente de 702 V para 696 V refletindo o pequeno aumento em ICQ O circuito é estável em relação a variações de β característica de uma polarização por divisor de tensão bem projetada a Ic Vcc Vc Rc Ic 18 12 47 103 Ic 128 mA b Ie Ic 128 mA Ve Re Ie Ve 12 103 128 103 Ve 154 V c Vb Ve Vbe Vb 154 07 Vb 224 V d Vb Vcc R2 R1 R2 224 18 56 103 R1 56 103 R1 18 56 103 224 56 103 R1 394 kΩ Questão 5 Com base na informação dada na Figura 4 determine Figura 4 Polarização por Divisão de Tensão a Ic b Ve c Vcc d Vce e Vb f R1 aIc β Ib Ic 100 20 106 Ic 2 mA bIe Ic 2 mA Ve Re Ie Ve 12 103 2 103 Ve 24 V cVcc Ve Re Ic Vcc 106 27 103 2 103 Vcc 16 V d Vce Vc Ve Vce 106 24 Vce 82 V e Vb Ve Vbe Vb 24 07 Vb 31 V f Vb Vcc R2 R1 R2 31 16 82 103 R1 82 103 R1 16 82 103 31 82 103 R1 3412 kΩ