Comportamento do Canal em Transistores: Análise das Regiões de Corte, Triodo e Saturação

REGIÃO DE CORTE Tensão Vgs abaixo do limiar Vth Não há formação do canal Região de Depleção Vgs Vth Id 0 REGIÃO TRIODO LINEAR Tensão Vgs acima do limiar Q CVgsVth portadores tensão excendente Canal uniforme comportamento resistivo Vgs Vth pequeno Vds Vds 2VgsVth Id μnCoxWL VgsVthVds REGIÃO TRIODO Tensão no lado esquerdo do capacitor Vx Vgs Vgs Vth Tensão no lado direito do capacitor V2 VgsVds VgsVds Vth Vds VgsVth Tensão excendente do lado direito da capacitor Vex VdsVgsVth 0 ainda há canal Canal Deformado Id 12 μnCoxWL αVgsVthVdsVds² LIMITE TRIODO SATURAÇÃO REGIÃO DE SATURAÇÃO