Eletrônica I - Prova sobre JFETs e MOSFETs

CURSO BACHARELADO EM ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO P5 DISCIPLINA ELETRÔNICA I PROF Dr Emanoel Raimundo Queiroz Chaves Júnior TERCEIRA AVALIAÇÃO Instruções para a realização da atividade avaliativa 1 A avaliação deve ser realizada individualmente 2 A avaliação tem o valor total de 100 pontos contém 5 questões 3 A folha de respostas deve ser preenchida de forma manuscrita 4 O aluno deverá entregar a folha de respostas digitalizada ao professor via Google Class antes do fim do prazo estabelecido Questão 1 20 pontos Determine IDQ VGSQ e VDS no circuito com JFET ilustrado na Figura 1 sabendo que IDSS corresponde a 5 o último dígito do seu número de matrícula em mA e VP corresponde a 2 o penúltimo dígito do seu número de matrícula em V Figura 1 Questão 2 20 pontos Projete R1 e R2 no circuito com JFET ilustrado na Figura 2 de modo que a corrente ID seja metade da corrente IDSS Considere os valores de IDSS e VP sendo iguais aos que você utilizou na Questão 1 respectivamente Figura 2 Questão 3 20 pontos Projete R1 e R2 no circuito com MOSFET tipo depleção ilustrado na Figura 3 de modo que a tensão VGS seja igual a 1 V Considere os valores de IDSS e VP sendo iguais aos que você utilizou na Questão 1 respectivamente Figura 3 Questão 4 30 pontos ISSO MESMO 10 pontos EXTRAS Determine IDQ VGSQ e VDS no circuito com MOSFET tipo intensificação ilustrado na Figura 4 sabendo que IDON corresponde a 5 o último dígito do seu número de matrícula em mA VGSTH corresponde a 1 o penúltimo dígito do seu número de matrícula em V Considere VGSON igual a 6 V Figura 4 Questão 5 20 pontos Determine IDQ VGSQ e VDS no circuito com MOSFET tipo intensificação ilustrado na Figura 5 utilizando os mesmo valores de IDON VGSTH e VGSON que você usou na Questão 4 Figura 5 Boa atividade