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Determinação da queda de tensão em um diodo pelo método da bisseção O diodo é um dos componentes semicondutores mais simples existentes utilizado entre outras coisas para transformar tensão alternada em tensão contínua proteger circuitos contra corrente reversa dentre outros Todavia a modelagem real de um diodo não é trivial obrigando ao usuário muitas vezes utilizar modelos idealizados ou simplificados durante os projetos entretanto para projetos de precisão áreas como aeronáutica médicohospitalares aeroespacial instrumentos de precisão estas modelagens não são válidas Desta forma necessitase determinar a correta queda de tensão sobre o mesmo Fisicamente a tensão em um diodo é expressa por iD IS eVDnVT 1 onde iD é a corrente no diodo IS é a corrente de saturação do material semicondutor VD é a queda de tensão no diodo n é o fator de não idealidade VT é a constante que representa a geração de carga em função da temperatura Considerando iD 1A IS 15A n 50 VT 0025V Determine através do método da bisseção o valor da queda de tensão no diodo considerando a corrente iD 10 e um erro máximo E a 03 e valores iniciais de 0 e 1 Observe também o número de iterações necessárias para a convergência do programa Utilize um programa em C a partir do Dev C para implementar o algoritmo do método da bisseção