Materiais Eletricos

BDQ Prova Page 1 of 4 Estácio Aluno: CCE0152_AV2_201201658877 » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV2 Aluno: 201201658877 - MARCO AURELIO DOS SANTOS ANDRADE Disciplina: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Notas de Provas: 4,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 1 Data: 07/06/2013 19:15:51 Prova: 9001/A 1a Questão Pontos: 1,0 / A Itália também teve seu expoente científico nos primórdios da pesquisas com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737-1798). Em outras destas séries de experimentos com bêmidas, como professor de anatomia da Universidade de Bolônia, foi um dos primeiros cientistas a tratar do efeito de contração elétrica em musculatura de um ser vivo, quando acidentalmente durante uma dessas aulas o grupo o aluno do inspirou, um instrumento elétrico. Considerando o exposto, determine a opção que proveniente só apresenta materiais isolantes elétricos. Silício, Platina, e duo salgada. Isopor, madeira e cerâmica. Cobre, Ouro, Ferro e Níquel. Nitrato de Prata, madeira porosa e borracha. Madeira, borracha, Platina e isopor. 2a Questão Pontos: 1,0 / Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define-se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por Cm/g., (A/d), onde A representa a área das placas, I a distância entre elas e £ o, é a permissividade do vácuo Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com I = 1mm quando for utilizado um dielétrico de k *4., considerando-se que a capacitância não deve ser alterada. 0,5 mm A mm 2 mm 2,5 mm 1 mm http://bquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=30317... 19/6/2013 BDQ Prova Page 2 of 4 3a Questão Pontos: 0,0 / Algumas substâncias, como o niobato de potássio e o titanato de chumbo, são capazes de transformar deformações mecânicas em energia elétrica e também de realizar o contrário, transformar energia elétrica em deformações mecânicas. Esta propriedade gaream aplicações em diversos segmentos da vida moderna, nas quais em microfones, em alarmes sonoros e em agulhas de injeção que liberam o pórem de um ajuste dos/capotesca). (CALLISTER, WILLIAM D Jr. Materials Science and Engineering – An Introduction, John Wiley & Sons. USA, 1997, Chapter 19). Com relação a estes tipo de substância, podemos dizer que com otempo o seu acondiciona, alguns cristais que possuem estas propriedades, apresentam a perda de intensidade no man/esltacao das mesmas. Geralmente apresentam estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria. As substâncias que apresentam as propriedades descritas anteriormente não podem apresentar simultaneamente propriedades ferroelétricas. Este comportamento pode ser aprimorado por meio do aquecimento acima da temperatura de Curie da substância, seguido de resfriamento até temperatura criogênica. Geralmente as substâncias que apresentam o comportamento descrito são diamagnéticas ou paramagnéticas. 4a Questão Pontos: 0,0 / Diversos materiais, exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microscópico na ausência de campos elétricos externos: tais co o seul de Rochelle). o dô-hüdrogênico sódós o. niobato de potássio entré oubotón. (CALLISTI WILLIAM D Jr. Materials Science and Engineering – An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a estes materiais, podemos afirmar: São denominados paramagnéticos. São denominados piezoelétricos. São denominados ferroelétricos. São denominados dielétricos. 5a Questão Pontos: 0,5 / A utilização de fibras ópticas para a transferência de dados é a evolução da eletrônica representaram um salto tecnológico indutárnia da informática, promovendo a democratização do acesso à internet e aos integrantes necessários. Considerando as figuras a seguir, podemos identificá-las com: (1) (2) (3) (1) Fibra Óptica e (2) Cabo Coaxial. (2) Fibra Óptica e (3) Resistor. (1) Cabo coaxial e fibra ótica e (2) resistor. (1) Resistor e (3) Cabo Coaxial. (1) Resistor e (3) fibra óptica. http://bquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=30317... 19/6/2013 BDQ Prova Page 3 of 4 6a Questão Pontos: 0,5 / George Simon Ohm (1787-1854) lecionou Física na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação propriedades dos resistores. o que lhe conferiu a imortalidade científica através da associa de seu nome. Ohm, a. qualificara da característica resis/cative de um resistor Entre as informações returnadas em um resistor, não podemos afirmar que (MEYER HERBERT W., A History of Electricity Magnetism – Connectcut, Norwalk. 1972. Chapter 3) Temperature, presença de impurezas a deformação mecânica são fatores que influenciam a resistividade * um material. O TCR é um/ parâmetro importante pois é desejável conhecer este comportamento antes da operação do componente. O coeficiente de temperatura do resistor (TCR) descreve o comportamento da variação do valor do resistência em função da temperatura. A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas. Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. 7a Questão Pontos: 1,0 / O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. I que modo esta dependência é explicitada? Logarítmica Quadrática Exponencial Trigonométrica Linear 8a Questão Pontos: 0,0 / O silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microircuitos com a equivalência de componentes, observados as vezes somente am microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determination o inserhet representa somente conceitos corretos. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vedada a presença de qualquer impureza no sistema. A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal. como, por exemplo o Boro (13*')na matriz de Silício (S4*) Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cistaiia composto pelo elemento principal como, por exemplo o Fósforo (15™) na matriz de Silício (S. Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas, já os semicondutores extrínsecos são aqueles apresentam impurezas http://bquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=30317... 19/6/2013 BDQ Prova Page 4 of 4 9a Questão A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidreléticas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a que estas usinas estão localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transportada através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistividade em uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cujo raio transversal é igual a 500 mm? Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20º C e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Q.m. qual alternativa abaixo indica o valor da resistividade ôhmica da linha para uma temperatura de 80ºC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura cobre é igual a 3,9x10-3 ºC-¹). a) 1,09 Q b) 3,64 Q c) 6,82 Q d) 4,35 Q 10a Questão Com o avanço tecnológico , a fabricação de transístores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisiva para o envolvimento de diferentes métodos. Os primeiros transistores fabricados dependiam instabilmente do nível de impurezas do semicondutor, o que os tornava imprecisos nas suas medições até cerca de 1950. Foi somente na década de 1950 que os Laboratórios Bell, com trabalhos de W. Shockley, desenvolveram um método adequado para melhorar o controle das impurezas (MEYER HERBERT W. A History of Electricity and Magnetism, Bumby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapte 1). Com relação ao exposto anteriormente, é correto afirmar que: a) A temperatura não altera a posição de cargas em semicondutores. b) A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p. c) A resistividade é característica do impurificador, aumentando com o acréscimo de impurezas. d) Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativos ou acréscimo de cargas positivas. e) Qualquer impureza oriunda de elementos de baixa qualidade servem para dopar semicondutores. http://hquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=30317... 19/6/2013