Exercícios Resolvidos: Cálculo de Portadores em Semicondutor e Oscilador com Capacitância Variável

3ª Questão A Figura abaixo mostra uma barra de um semicondutor de silício tipo P a qual está sujeita à injeção de elétrons à esquerda e lacunas à direita Calcule o número de elétrons e lacunas armazenados no semicondutor entre x0 e x2 μm suponto uma seção reta tenha área de 1μm X1μm e as concentrações máximas de elétrons N0 51016 cm³ e de lacunas P021016 cm³ Considere ainda os seguintes perfis exponenciais de concentrações ao longo da barra nx N0 exLn pxP0 ex2Lp a carga elementar q16 X 1019 C as constantes de difusão de elétrons Dn 34 cm2s e de lacunas Dp12 cm2s e o comprimento de difusão LnLp002 μm 5 x 1016 2 x 1016 Electrons Holes 0 2 μm x 4ª Questão Um oscilador requer uma capacitância variável com a característica mostrada na figura abaixo Considere Cj uma função hiperbólica de Vr em que Cj C01VrVo Determine a Vo e Cjo b a frequência de ressonância de um circuito paralelo entre um indutor com L1mH e um semicondutor polarizado reversamente com VR15 V e seção reta com área de 1μm X1μm Cj fF 1μm² 0175 013 15 05 0 VR V