Prova-Eletrônica-1-Analise-de-Circuitos-com-Amplificadores-Operacionais-e-Transistores

Universidade Federal Rural de Pernambuco Unidade Acadêmica do Cabo de Santo Agostinho Eletrônica 1 20251 Terceira Verificação de Aprendizagem V2 Prof Fernando Gonçalves de Almeida Neto 1 Considere o circuito apresentado na Fig 1 a seguir Figura 1 Figura referente à questão 1 Responda o que se pede a 20 Sem utilizar equações prontas mostre que o ganho de tensão Av vo1vi1 do circuito da Fig 1 é dado por Av 1 R2R1R3R3 R4 Para isso assuma o modelo ideal para o funcionamento do AmpOp b 10 Sabendo que a equação do ganho do item anterior é válida e assumindo R2 10kΩ e R3 5kΩ projete valores de R1 e R4 para que Av 2VV Escolha resistores na faixa de kΩ c 10 Assuma que a saída do circuito da Fig 1 é conectada à entrada do circuito da Fig 2 quando Av 10VV e vi1 470 cos2πtmV Adicionalmente considere que a queda de tensão entre os terminais do diodo é de 07V Figura 2 Figura referente à questão 1 item c Esboce a figura da queda de tensão vo2 apresentando dois períodos so sinalEm sua figura deixe claros i a indicação dos valores de máximo e de mínimo do sinal ii a indicação do período do sinal e iii a identificação clara dos eixos com a inclusão das unidades das grandezas 2 Considere o amplificador em fonte comum apresentado no circuito da Fig 3 a seguir Assuma que os capacitores do circuito possuem capacitância muito elevada e que Vt 1V e Kn WL 2mAV2 Figura 3 Figura referente à questão 2 a 20 Assuma que o transistor opera na saturação Refaça o desenho do circuito para calcular as grandezas de polarização CC e calcule ID VG VS e VD b 30 Independentemente dos valores de polarização encontrados no item anterior assuma gm 500μAV e ro Refaça o desenho do circuito para utilizar o modelo de pequenos sinais e obtenha a resistência de entrada Rin o ganho de tensão Av vovi e o ganho de tensão global Gv vovsig 3 20 Considere o circuito da Fig 4 e assuma que esta funcionando com o transistor operando no modo ativo e que β 350 Calcule os valores de VE e de VB Figura 4 Figura referente a questao 3 Equacoes uteis Transistor Bipolar de Juncao Modo Ativo α β β 1 iC αiE iE β 1iB iE iC iB Transistor MOS Saturacao Condicao para a operacao na saturacao VGS Vt e VDS VGS Vt ID 1 2kn W L VGS Vt2 Modelo de pequenos sinais Figura 5 Modelo πhıbrido MOS 2