Equipamentos de Proteção Coletiva EPCs e Semicondutores Tipos P e N em Sistemas de Energia

Em sistemas de energia elétrica além dos Equipamentos de Proteção Individual EPIs para os trabalhadores que manipulam diretamente os equipamentos elétricos também são necessários Equipamentos de Proteção Coletiva EPCs para proteger áreas de trabalho contra riscos elétricos Os EPCs incluem barreiras isolantes cercas de proteção e coberturas de proteção que são projetados para isolar e impedir o acesso à áreas de alto risco elétrico Os materiais utilizados na fabricação desses EPCs devem ter excelentes propriedades isolantes para garantir a segurança dos trabalhadores e prevenir acidentes elétricos mas no entanto para garantir sua eficácia é necessário observar algumas intenções importantes ao utilizálos Em vista ao que foi exposto quais são os principais itens a serem observados para a correta utilização dos equipamentos e componentes de proteção coletiva para uso em sistemas de energia elétrica o Limpeza dos equipamentos armazenamento adequado dos dispositivos de proteção e aplicação de lubrificantes nos componentes móveis o Aplicação de adesivos de advertência nos equipamentos inspeção visual dos componentes e utilização de materiais condutores para proteção contra descargas atmosféricas o Substituição periódica dos dispositivos de proteção pintura dos equipamentos e uso de dispositivos de sinalização luminosa o Desligamento regular dos equipamentos para manutenção utilização de materiais de fixação de alta resistência e armazenamento em locais bem ventilados o Inspeção regular dos equipamentos treinamento adequado dos trabalhadores e uso correto dos dispositivos de bloqueio e etiquetagem Nos dispositivos semicondutores utilizados em componentes eletrônicos como transistores e diodos a escolha entre materiais do tipo P positivo e do tipo N negativo desempenha um papel crucial Os semicondutores do tipo P são dopados com impurezas que introduzem lacunas na estrutura cristalina enquanto os do tipo N são dopados com impurezas que introduzem elétrons livres Essas diferenças na dopagem resultam em características distintas nos dispositivos Tendo em vista o que foi apresentado qual das seguintes afirmações descreve corretamente uma diferença entre dispositivos semicondutores do tipo P e do tipo N em componentes eletrônicos o Os semicondutores do tipo P têm uma maioria de lacunas como portadores de carga enquanto os do tipo N têm uma maioria de elétrons livres como portadores de carga o Os semicondutores do tipo P têm uma maioria de portadores de carga negativa enquanto os do tipo N têm uma maioria de portadores de carga positiva o Os semicondutores do tipo P têm uma condutividade maior do que os do tipo N devido à presença de elétrons livres enquanto os do tipo N têm uma condutividade menor devido à presença de lacunas o Os semicondutores do tipo P têm uma banda de valência mais alta do que os do tipo N enquanto os do tipo N têm uma banda de condução mais baixa o Os semicondutores do tipo P têm uma maioria de elétrons livres como portadores de carga enquanto os do tipo N têm uma maioria de lacunas como portadores de carga A resistividade elétrica é uma medida da oposição que um material oferece à passagem de corrente elétrica Ela é medida em ohms por metro Ωm A resistividade elétrica é inversamente proporcional à condutividade elétrica Os metais são bons condutores elétricos porque possuem elétrons livres em sua estrutura atômica A resistividade elétrica do cobre é de 172 108 Ωm enquanto a resistividade do alumínio é 272 108 Ωm o que os tornam alguns dos melhores condutores elétricos Qual das seguintes afirmações é verdadeira sobre resistividade elétrica o O ferro é melhor condutor elétrico que o cobre o Por ser excelente condutor o quartzo é muito utilizado na fabricação de relógios o O cobre é um dos melhores condutores apresentados o De todos os materiais listados nas referências o vidro é o que apresenta maior resistência à passagem de corrente elétrica o A condutividade do alumínio é maior que a do cobre