Lista 2 - Memórias Semicondutoras - Circuitos Elétricos 2 2021-2

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira- Departamento de Engenharia Elétrica Circuitos Digitais II - Profa. Suely Cunha Amaro Mantovani. 20sem /2021 2a Lista de Exercícios (16-01-2022) Memórias Semicondutoras Vale 10,0 (1,0 pto).1. A memória tem capacidade de 32K x 16. Quantas palavras ela armazena? Qual é o número de bits por palavra? Quantas células de memória ela contém? Quantos endereços diferentes são requeridos por esta memória e qual o maior endereço? (1,0 pto).2. Qual a capacidade de uma memória que tem 16 entradas de endereços, 8 entradas de dados e oito saídas de dados? (1,0 pto).3. (a) Quais são os três barramentos existentes em um sistema de memória de um computador? (b) Em uma operação de leitura, qual barramento é usado para transportar dados da memória para a CPU? (c) Quem fornece os dados para o barramento de dados em uma operação de escrita? (d) Qual barramento é usado pela CPU para selecionar uma posição de memória? (1,0 pto).4. (12.10) (a) Verdadeiro ou Falso: as ROMs não podem ser apagadas (b) O que significa programar ou “queimar” uma ROM? Gravar dados (c) Defina tempo de acesso de uma ROM (d) Qual a função dos decodificadores no chip de ROM e RAMs ? (1,6 ptos) 5. (12.13) Para cada item a seguir identifique o tipo de memória descrita MROM, PROM, EPROM, EEPROM ou flash. Alguns corresponderão a mais de um tipo de memória. (a) Pode ser programada pelo usuário, mas não pode ser apagada. (b) É programada pelo fabricante. (c) Pode ser apagada e reprogramada diversas vezes. (d) Palavras individuais podem ser apagadas e reescritas. (e) É apagada eletricamente. (f) É apagada com luz ultravioleta. (g) Usam fusíveis em série com um dispositivo semicondutor . (h) Não precisa ser removida do sistema para ser apagada e reprogramada. (i) O tempo de apagamento é cerca de 15 a 20 min. (j) É não volátil. (k) Tem transistor com gate flutuante . 6. ( 1,2 ptos- 0,4 cada item ) Questões de revisão –DRAms (seção 12.17) a) Os módulos SIMMs e DIMMs são intercambiáveis ? b) Como a DDR duplica a taxa de dados ? c) Qual a principal melhoria na mudança de DDR para DDR2 para DDE3 para a DDR4? 7. ( 1,0 pto) Exercícios da seção 12.19 , cap 12 do livro texto. 12.32 Combinar dois chips RAM 6264 para produzir um módulo de 8Kx16. 12.33 Fazer um módulo de memória RAM de 16K x8 usando a RAM anterior. O circuito não necessita de lógica adicional. Desenhe um mapa de memória para mostrar a faixa de endereço de cada chip. 8. (1,2 ptos -0,3 cada item) 12.36 (1,2 ptos -0,3 cada item) Para o sistema de memória da Figura 12.36, considere que a CPU armazena um byte de dados no endereço do sistema, 4000H. Pergunta-se: (a) Em qual dos chips o byte é armazenado? (b) Existe outro endereço neste sistema que acesse esse byte? (c) Responda os itens (a) e (b) considerando que a CPU armazenou um byte no endereço 6007 (decodificação não completa na EEPROM); (d) Suponha que o programa esteja armazenando uma sequência de bytes de dados na EEPROM e que acabou de escrever o byte 2048 no endereço 67FF. Se o programador permitir o armazenamento de mais um byte no endereço 6800, qual será o efeito sobre os primeiros 2048 bytes? 9 . (1,0 pto).Exercício (2 ) dado no tópico de expansão( expansão híbrida) . Entregar: até um dia antes da prova.